تهیه لایه های نازک نانو ساختار آلومینیوم نیترید (aln) با روش کندوپاش مگنترونی واکنشی و بررسی ویژگی های الکتریکی آن ها با تغییر شرایط نهشت

پایان نامه
چکیده

آلومینیوم نیترید ( aln )، یکی از جالب توجه ترین نیمه هادی های ترکیبی (iii-v ) با ساختار وورتزیت شش گوشی می باشد، دردهه گذشته با توجه به این واقعیت که این ماده خواص فیزیکی شگفت انگیز گوناگونی مثل گاف انرژی مستقیم (ev 6.2)، نقطه ذوب بالا (k 3273)، هدایت حرارتی بالا (w/mk 285) و ثابت دی الکتریک بسیار بالا (8.5) از خود نشان داده، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. همچنین آلومینیوم نیترید با توجه به خواص صوتی عالی اش با سرعت صوتی بالا (m / s 6000)، ثبات دمایی بالا و سازگاری با فن آوری های تولید سیلیکون معمولی، یک ماده نوید بخش با خاصیت پیزوالکتریکی برای کاربرد در دستگاه های الکتروآکوستیکی مانند موج آکوستیک سطحی (saw)، موج آکوستیکی کپه ای (baw) و سیستم های میکروالکترومکانیکی (mems) است. برای تهیه فیلم های alnروی زیرلایه های مختلف، روش های مختلفی، ازجمله روش رونشانی با استفاده از باریکه مولکولی (mbe)، انباشت بخار شیمیایی cvd))، نهشت لیزر پالسی (pld) و کندوپاش مگنترونی واکنشی(rms)، مورد استفاده قرار می گیرد. در این کار تجربی، فیلم های نازک نانو ساختار آلومینیوم نیترید با استفاده از روش کندوپاش مگنترونی واکنشی برروی زیرلایه هایی از جنس کوارتز تحت شرایط نهشت مختلف مثل تغییر دمای زیرلایه و شار گاز نیتروژن تهیه شده و تاثیر این پارامترها روی خواص الکتریکی نمونه ها بررسی شد. پارامترهایی مثل مقاومت ویژه، رسانندگی الکتریکی و گاف الکتریکی(انرژی فعال سازی) محاسبه گردید. نتایج بررسی ها نشان می دهد که با افزایش شار گاز نیتروژن، مقاومت الکتریکی و مقاومت ویژه لایه ها افزایش می یابد. این افزایش مقاومت می تواند به دلیل کاهش در اندازه ذرات لایه ها باشد. همچنین نتایج نشان می دهد که با افزایش دمای زیرلایه، مقاومت ویژه نمونه ها به دلیل نیتریده شدن فیلم ها افزایش می یابد. سرانجام، میزان انرژی فعال سازی نمونه ها از دمای اتاق تا 250 درجه سانتی گراد اندازه گیری شد.

منابع مشابه

بررسی ویژگی های ساختاری لایه های نازک نانوساختار (aln) تهیه شده به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی(dc) با تغییر شرایط نهشت

لایه¬ی نازک لایه¬ای از مواد است که ضخامت آن در گستره¬ی کسری ازیک نانومتر تا چند میکرومتر باشد و در¬واقع لایه¬های اتمی به دقت طراحی شده¬ای از انواع مواد اعم ازفلزات ، عایق¬ها و نیمرساناها هستند. نیترید آلومینیوم یکی ازمورد علاقه¬مند ترین نیمرساناهای ترکیبی گروه¬هایiii–v باداشتن ساختار تنگ پکیده ی شش گوشی وورتزیت توجه زیاد پژوهش¬گران را به خود جلب کرده است. روش¬های نهشت مختلفی برای تهیه یaln توسط...

بررسی ویژگیهای الکتریکی لایه های نازک نانوساختار(altin) تهیه شده به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی دوگانه (rf وdc) با تغییر شرایط نهشت

نتایج بررسی ها نشان می دهد که با افزایش فلوی گاز نیتروژن، مقاومت الکتریکی و مقاومت ویژه لایه ها افزایش می یابد. این افزایش مقاومت را می توان به دو عامل نسبت داد : با افزایش فلوی گاز نیتروژن، ترکیبات aln در فیلم، افزایش می یابد با توجه به اینکه aln ماده ای با گاف انرژی بزرگ است، در حالیکه tin یک رسانای خوب است در نتیجه افزایش میزان aln در ترکیب باعث افزایش گاف انرژی ترکیب شده، که این امر باعث اف...

15 صفحه اول

بررسی چقرمگی شکست و حساسیت به نرخ کرنش لایه نازک نیترید تانتالوم تولید شده به روش کندوپاش مغناطیسی واکنشی

نیترید تانتالوم به دلیل سختی بالا و مقاومت به خوردگی خوب توانسته است توجهات زیادی را به عنوان پوششی مناسب جلب نماید. اما چقرمگی شکست لایه‌های نازک نیترید تانتالوم که یکی از عوامل تاثیرگذار بر طول عمر پوشش است، هنوز به خوبی بررسی نشده است. در این پژوهش، برای نخستین بار، چقرمگی شکست، پلاستیسیته و حساسیت به نرخ کرنش لایه های نازک نیترید تانتالوم به کمک روش نانو فرورونده بررسی و ارزیابی شد. در این ...

متن کامل

تهیه فیلم های نازک tialn به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی و بررسی خواص الکتریکی و ساختاری آنها

چکیده: کاربرد لایه های نازک نه تنها در اتصال قطعات منفرد به یکدیگر بلکه همچنین در تهیه خود قطعات اعم از فعال و نافعال، امکانات جدید میکروریزه شدن را فراهم آورده است. این امر از آنجا ناشی می شود که یکی از ابعاد (از دیدگاه ماکروسکوپی) تقریباً صفر است، و ضخامت عنصر تنها با ضخامت زیرلایه که فرآیند انباشت روی آن انجام می گیرد، تعیین می شود. لایه های نازک تیتانیوم آلومینیوم نیترید با شیوه های متفاو...

15 صفحه اول

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023